UnitedSiC推出九个750V SiC器件 导通电阻最低达6mΩ

头部电池企业上游资源“卡位战”

企信京牌 ，碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC公司推出九个750V SiC器件，其中导通电阻可低至6mΩ。这些器件为的传动系统提供了优势。

（图片来源：unitedsic）

新750V SiC FET系列的额定值为 6、9、11、23、33和44mΩ，并采用TO-247-4L 封装。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更传统的TO-247-3L封装。

该公司表示，该系列已于去年12月推出18和60mΩ750V器件。新扩展产品与这些现有器件相辆相成，为设计人员提供了更多的选择，实现了更大的设计灵活性，以获得最佳成本/效率权衡，同时保持充足的设计裕度和电路稳健性。

UnitedSiC的第4代SiC FET是SiC JFET和共同封装的硅MOSFET的“共源共栅”（cascode）。总的来说，能够提供宽带隙技术的全部优势：高速、低损耗和高温操作，同时保持简单、稳定和强劲的栅极驱动，并具有集成ESD保护。

这些优势通过品质因数（FoMs）进行量化，例如导通电阻RDS(on) x A，这是衡量单位晶粒面积的传导损耗的指标。第四代SiC FET在高和低晶粒温度下，都达到了据称是市场上的最低值。FoM RDS(on) x EOSS/QOSS在硬开关应用中很重要，据估计是最接近的竞争产品的一半。 FoM RDS(on) x COSS(tr)在软开关应用中很重要，UnitedSiC声称，其器件成本比额定电压为650V的竞争器件低约30%，而UnitedSiC器件的额定电压为750V。

对于硬开关应用，SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面，优于竞争对手Si MOSFET或 SiC MOSFET技术。第四代技术的其他优势是，使用先进的晶圆减薄技术和银烧结晶粒连接，降低晶粒与外壳之间的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，以实现低晶粒温升。

这些设备旨在用于电动汽车中的牵引驱动器、车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和AC-DC（或DC-DC）电源转换中所有阶段的单向和双向电力转换。

第四代750V SiC器件的价格不等，如UJ4C075044K3S为4.15美元，UJ4SC075006K4S为23.46美元。

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