三菱电机推出新款1200V SiC-MOSFET 功耗低/减小车载充电器尺寸

admin 2020年1月6日00:00:00北京交通评论279阅读模式

企信京牌6年间为数万车主提供北京车牌托管,租赁京牌,请拨打:18532672073(微信同步)

最快第三季度动工 特斯拉拟为美国新工厂投入10亿美元

企信京牌 ,近日,日本三菱电机公司(Mitsubishi Electric Corporation)宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),该产品功率损耗低且自接通耐受性高,还可以帮助降低功耗,实现(EV)车载充电器、光伏电力系统等供电系统(需要转换高压)的小型化,产品样品将于今年7月开始发货。

(图片来源:三菱电机)

三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET,包括将于11月16日至18日在中国上海举办的2020 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)上进行展示。

产品特点:

1、  降低功耗,实现供电系统的小型化

A、结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻,还让其达到行业领先的品质因数(FOM)??1,450mΩ?nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管(Si-IGBT)相比,用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。

B、通过降低镜面电容(在MOSFET结构中,栅极和漏极之间存在的杂散电容),与竞争对手的产品相比,1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此,可实现快速的开关操作,降低开关损耗。

C、由于降低了开关功率损耗,通过驱动具有更高载频的功率半导体,得以实现冷却系统及周边部件(如反应器)的小型化和简单化,从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。

2、  有六款1200V SiC-MOSFET,包括符合AEC-Q101规格的型号,适用于各种应用

A、N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号,因此,该产品不仅适用于光伏系统等工业应用,也可用于车载充电器。

科学家研发高性能环保超级电容器 适用于可穿戴电子设备/汽车等

weinxin
我的微信
微信扫一扫
admin
  • 本文由 发表于 2020年1月6日00:00:00
  • 转载请务必保留本文链接:https://www.jingpaichuzu.com/archives/6322
匿名

发表评论

匿名网友 填写信息

:?: :razz: :sad: :evil: :!: :smile: :oops: :grin: :eek: :shock: :???: :cool: :lol: :mad: :twisted: :roll: :wink: :idea: :arrow: :neutral: :cry: :mrgreen: